Hersteller Produktnummer:
IPU09N03LB G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPU09N03LB G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
Inventar:
12803563
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IPU09N03LB G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1600 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
58W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3-21
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPU09N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
IPU09N03LBG
IPU09N03LB G-DG
IPU09N03LBGX
SP000209115
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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